IGBT单管特性检验实训箱

一、配置

铝合金箱体，铝塑板面板， 12V开关电源，110V开关电源，频率可调高频信号发生器，IGBT管，MOS管，普通三极管，电机，开关，交流接触器，电源线，电压表，电流表，频率表，用电器，三极管MOS管插座，各种不同数值的保险丝管，8格器件盒。

二、功能

1.IGBT高频特性试验——通过高频信号发生器，同时给IGBT管的栅极G和普通三极管的基极B加控制信号，发射极E接地，集电极C加一上拉电阻，用双通道示波器同时观测基极B和集电极C信号波形，从低到高逐步增大信号频率，观测输入输出波形什么时候开始有不同步现象，分别记录下IGBT管和普通三极管或者MOS管的不同步时的频率数值。对于实验数据进行比较，可以得出结论：IGBT有高频适应特性。

2.IGBT大电流特性——通过给IGBT栅极B加一个小电流低电压控制信号，控制IGBT管导通和切断，发射极接地，集电极通过+12V电源和保险丝连接一个电机，IGBT管导通，电机运转，IGBT管截止，电机停止运转。观察此时流过电机的电流大小，做记录。然后用同样的方法和步骤，用普通三极管或者MOS管替代IGBT管，观察电机运转情况，同时记录下电机停转的电流值。比较不同管子的实验数据和电机运转情况，得出结论，IGBT有大电流适应特性。

3.IGBT高电压特性——给IGBT栅极G加一个小电流低电压控制信号，控制IGBT管导通和切断，发射极接地，集电极通过110V开关电源和保险丝连接一个用电器，观察用电器和IGBT管工作情况。用普通三极管或者MOS管替代IGBT管，观察用电器盒三极管情况，同时记录下现象。比较不同管子的实验现象和电机运转情况，得出结论，IGBT有高电压适应特性。

三、技术参数

1.箱体长×宽×高：435×325×200mm；

2.工作电压：AC220V  DC12V  DC110V

3.重量：约5KG